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国产IGBT厂商开始小批量销售

(2012-11-27 7:45:56)  2048人次浏览
 
     国产IGBT厂商开始小批量销售
  “十二五”规划出台以后,国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视,同时,“节能减排”工作也深入开展,中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键部件,受到了国家的重视,近两年更是列入国家重大科技专项中提供多方位的支持。
  绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是继双极晶体管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半导体分立器件,具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点,广泛用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS以及逆变焊机当中,是目前发展最为迅速的新一代功率器件。
  同时IGBT目前的供货也主要来自国外厂商,笔者在刚刚结束的高交会上看到一家本土的IGBT厂商中科君芯在推广他们的IGBT产品。据介绍,中科君芯产品已经在国内小批量销售,客户试用的反应良好。
  江苏中科君芯科技有限公司是以中国科学院微电子研究所硅器件与集成技术研究室及中国物联网研究发展中心电力电子器件研发实验室为核心研发实体,结合行业内上下游的优势资源及海内外优秀人才加盟而成立的一家高科技企业。       文章插图→浏览下载
  公司技术研发团队在IGBT产品研制方面技术实力雄厚,有20多年的技术积累和基础,处于国内领先地位,目前拥有博士7名,硕士18名。
  目前公司的15A/600V、15A/1200V、25A/1200V、40A/1200V、100A/1200V、25A/1700V产品已经过客户试用,反应良好,开始销售。中科君芯工作人员介绍,公司目前已开发完成15~100A/1200V、20~100A/1700V非穿通型平面栅和沟槽栅IGBT系列产品以及配套FRD产品,15A/600V场截止型沟槽栅IGBT产品,已完成2500V,3300V,4500V和6500V系列IGBT芯片样品的开发,其中6500V的IGBT芯片样品其击穿电压达到7100V以上。正在进一步优化相关参数,拓展产品规格,目标是形成600V~6500V全系列IGBT产品。
  相关阅读:国产IGBT企业名录→浏览下载
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  2012年11月产品推广:可控硅-晶闸管→浏览下载 MOS-场效应管→浏览下载 肖特基整流二极管→浏览下载
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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