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可控硅元件的符号说明

(2006-7-20 1:26:02)  19689人次浏览
 
    可控硅产品技术参数中的符号说明
---------------------
VDRM:断态重复峰值电压
VRRM:反向重复峰值电压
VDSM:断态不重复峰值电压
VRSM:反向不重复峰值电压
 VTM:通态峰值电压
 VTO:通态门槛电压
VISO:模块绝缘电压
 VGT:门极触发电压
---------------------
IT(AV):通态平均电流
IF(AV):正向平均电流
  IDRM:断态重复峰值电流
  IRRM:反向重复峰值电流
 ITRMS:通态电流有效值
   ITM:通态峰值电流
  ITSM:正向一个周波不重复浪涌电流(峰值)
   IGT:门极触发电流
    IH:维持电流
   I2t:电流平方时间积
---------------------
    Tq:关断时间
   trr:反向恢复时间
   THS:散热器温度
    Tj:工作结温
   Tjm:额定结温
    Tg:环境结温
 dv/dt:断态电压临界上升率
 di/dt:通态电流临界上升率
    Rt:通态斜率电阻
Rth(j-hs):热阻抗(结至散热器)
 Rth(j-C):热阻抗(结至元件管壳)
    Qr:反向恢复电荷
   L*p:光触发灵敏度
---------------------
◆◆单向可控硅元件:
通态平均电流IT:在环境温度为+40℃和规定冷却条件下,元件在电阻性负载的单相工频正弦半波,导通角不小于170度的电路中,当结温稳定并不超过额定结温时,所允许的最大通态平均电流。
断态不重复峰值电压VDSM:门极断路时,在正向伏安特性曲线急剧弯曲处的断态峰值电压。
断态重复峰值电压VDRM:为不重复断态峰值电压的90%
断态不重复平均电流IDS:门极断路时,在额定结温下对应于断态不重复峰值电压下的平均漏电流。
断态重复平均电流IDR:对应于断态重复峰值电压下的平均漏电流。
门极触发电流IGT:在室温下,主电压为6伏直流电压时,使元件完全开通所必须的最小门极直流电流。
门极触发电压VGT:对应于门极触发电流时的门极直流电压。
断态电压临界上升率dv/dt:在额定结温和门极断路时,使元件从断态转入通态的最低电压上升率。
---------------------
◆◆双向可控硅元件:
通态电流IT:在环境温度为+40℃和规定冷却条件下,元件在电阻性负载的单相工频正弦半波电路中,当结温稳定并不超过额定结温时,所允许的最大通态电流有效值。
换向电流临界下降率(di/dt)c:元件由一个通态转换到相反方向时,所允许的最大通态电流下降率。
门极触发电流IGT:在室温下,主电压为12伏直流电压时,用门极触发,使元件完全开通所需的最小门极直流电流。
---------------------
◆◆快速可控硅元件:
门极控制开通时间tgt:在室温下,用规定门极脉冲电流使元件从断态至通态时,从门极脉冲前沿的规定点起到主电压降低到规定的低值所需要的时间。
电路换向关断时间tq:从通态电流降至零这瞬间起,到元件开始能承受规定的断态电压瞬间止的时间间隔。
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来源-中国可控硅信息中心   打印 打印该页
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