| TriQuint推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管 |
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| (2012-12-18 17:42:35) 1902人次浏览 |
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TriQuint推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管
TriQuint半导体公司，推出四款具有卓越增益和效率，
并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。
TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，
同时改进效率和增益。
这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上
提供30～37W（CW）射频输出功率。
它们是商业通信和测试设备系统等类似的宽带系统应用的理想选择。
TriQuint新的氮化镓功率晶体管包括28V的T1G6003028-FS，
其工作频率为直流至6GHz，提供30W的输出功率，在3.5GHz和6GHz频率时的效率分别为55%和44%。
T1G6003028-FL提供相同的性能，并且采用法兰封装来满足不同封装的要求。
TriQuint新的32V的T1G4003532-FS和法兰封装的T1G4003532-FL是用于S波段及类似应用的理想选择。
它们在直流至3.5GHz工作频率下提供37W（CW）输出功率。
上述两种32V器件均在3.5GHz和6GHz分别提供大于16dB和10dB的增益；
其附加功率效率（PAE）在5GHz和6GHz分别为60%和49.6%。
所有四款新的氮化镓晶体管均可承受高达10:1的驻波比（VSWR）失配而不损害功能，
同时为在高漏偏压条件下工作而优化，从而降低系统成本和散热管理成本。
所有器件均可出口至大多数国家；详情请与TriQuint联系。
技术规格 新的TriQuint 氮化镓晶体管（见图、单击看大图→浏览下载）。 （内容来源：21IC）
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