| Vishay推出的新款60V-MOSFET |
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| (2019-8-22 9:22:11) 12789人次浏览 |
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Vishay推出的新款60V-MOSFET
是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件
日前，Vishay Intertechnology,Inc.宣布，推出新款60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET：SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10V条件下最大导通电阻降至4mW，采用热增强型3.3mm×3.3mm PowerPAK 1212-8S封装。Vishay Siliconix SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度，栅极电荷仅为22.5nC，同时具有低输出电荷(QOSS)。
Vishay推出的新款60V MOSFET是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件
与逻辑电平60V器件不同，SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平台电压，适用于栅极驱动电压高于6V的电路，器件最佳动态特性缩短死区时间，防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑电平器件不相上下—QOSS为34.2nC，QOSS与导通电阻乘积，即零电压开关(ZVS)或开关柜拓扑结构功率转换设计中，MOSFET的重要优值系数(FOM)达到最佳水平。为实现更高功率密度，器件比6mm×5mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。
SiSS22DN改进了技术规格，经过调校最大限度降低导通和开关损耗，多电源管理系统构件可实现更高效率，包括AC/DC和DC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级，以及通信和服务器电源OR-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。
MOSFET经过100% RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
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