飞兆半导体与英飞凌科技签署封装工艺许可协议 |
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(2012-4-12 10:07:04) 1912人次浏览 |
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英飞凌科技股份公司与飞兆半导体公司,近日宣布签署英飞凌先进汽车级MOSFET封装工艺H-PSOF(带散热盘的塑料小外形扁平引脚封装)符合JEDEC标准的TO-Leadless封装(MO-299)的许可协议。
这种封装适用于大电流汽车应用,包括混合动力汽车的电池管理、电动助力转向系统(EPS)、主动式发电机和其他重载电气系统。TO-Leadless封装是首个实现300安培电流能力的封装。这种封装相对于现有的D2PAK,PCB板面积和高度分别降低20%和50%,从而大幅节省空间。
开发全新的启停系统、电动助力转向系统、电池管理和主动式发电机,以满足更苛刻的能效和排放要求的汽车电子公司,正在寻求各种创新解决方案,但他们还必须最大程度规避仅从一家供应商采购器件的风险。为确保可靠的器件供应,飞兆半导体与英飞凌签署该许可协议,旨在将领先业界的TO-Leadless MOSFET封装解决方案应用于汽车行业,同时最大程度降低从一家供应商采购器件的风险。
飞兆半导体公司计划将TO-Leadless功率器件封装工艺应用于其最新的MOSFET技术。采用TO-Leadless封装的首批MOSFET样品,预计将于2012年下半年开始提供,批量生产有望于2013年中期开始。
飞兆半导体汽车业务部副总裁Marion Limmer指出:“凭借多年来在汽车行业积累的丰富经验,飞兆半导体在满足当前各大汽车厂商的功率半导体需求方面,遥遥领先。通过采用这种TO-Leadless功率器件封装工艺,飞兆半导体帮助设计人员充分利用最新的低阻MOSFET技术,从而进一步提高我们在汽车市场的份额”。
英飞凌科技股份公司汽车电子业务部总裁Jochen Hanebeck表示:“拥有这个协议,汽车行业将受益于从其他可靠供应商订购空间、能效及性能方面具备优势的大电流功率器件。作为汽车功率应用技术的领导者,英飞凌利用其技术专长为汽车系统供应商提供可提高能效和性能的MOSFET,同时还可最大程度降低从一家供应商采购的风险”。
飞兆半导体与世界领先的汽车制造商和系统供应商合作,开发出广泛支持汽车应用的半导体解决方案,包括优化现代汽车的电源管理架构、降低燃耗和环境污染等等。
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Infineon与Fairchild签订车用MOSFET封装授权协议
(Fairchild)宣布针对英飞凌先进的车用 MOSFET 封装技术 H-PSOF(带散热器的塑胶小型扁平引脚封装)签订授权协议,该技术是符合 JEDEC 标准的 TO 无导线封装(MO-299)。
该封装适用于高电流汽车应用,包括油电混合车电池管理、电子动力转向(EPS)、主动式交流发电机及其他高负载电力系统。TO无导线封装是第一个提供300A电流功能的封装,在电路板空间方面也具备显著优势,相较于目前的D2PAK封装可减少20%以上的体积及50%的封装高度。
为满足针对效率提升及降低废气排放的相关规范,汽车电子厂商开发全新的引擎自动启闭系统、电子动力转向、电池管理及主动式交流发电机,不断寻求创新解决方案,同时也必须尽可能降低由单一供应商供应产品的风险。快捷与英飞凌为了确保稳定的供货来源,协议共同提供先进MOSFET TO 无导线封装解决方案至汽车市场,同时降低了单一供应商来源的相关风险。
快捷半导体最新的 MOSFET 技术将采用无导线功率封装技术,预计于 2012 年下半年提供首次采用 TO 无导线封装的 MOSFET 样品,并于 2013 年年中开始量产。快捷半导体与全球顶尖的汽车制造商及系统供应商合作,建立各种半导体解决方案,支援各式汽车应用,包括现今车辆架构的电源管理最佳化、降低燃料消耗,以及减少环境污染物质。
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