| 东芝推出新款80V-N沟道功率MOSFET |
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| (2020-3-31 12:34:19) 7436人次浏览 |
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东芝推出采用其最新一代工艺的80V-N沟道功率MOSFET
2020年3月30日，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V-N沟道功率MOSFET：TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。
新增产品包括采用表面贴装SOP-Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON-Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。
由于采用了其最新一代的工艺制造技术，与当前U-MOS、Ⅷ-H系列中的80V产品相比，新款80V、U-MOS、X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性之间的平衡也得到了进一步的改善。因此，新产品可提供业界最低功耗。东芝正在扩展其降耗型产品线，从而为降低设备功耗提供帮助。
应用：
开关电源（高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等）
电机控制设备（电机驱动等）
特性：
业界最低功耗（通过改善导通电阻与栅极电荷特性之间的平衡）
业界最低导通电阻：
Rds(on)=2.43mΩ（最大值）@Vgs=10V（TPH2R40QM）
Rds(on)=19mΩ（最大值）@gs=10V（TPN19008QM）
高额定通道温度：Tch=175℃
【TPH2R408QM详细参数PDF下载→浏览下载】 【TPN19008QM详细参数PDF下载→浏览下载】
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【TEL：0755-29955080、27832499 本月推广：主打产品型号目录与参数选型→浏览下载】
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